半導(dǎo)體封裝材料高低溫絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)

半導(dǎo)體封裝材料高低溫絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)產(chǎn)品介紹：

高低溫環(huán)境下的絕緣電阻測(cè)試技術(shù)用于預(yù)測(cè)EMC的HTRB性能。電介質(zhì)樣品暴露在高電場(chǎng)強(qiáng)度和高溫環(huán)境下。在這種情況下，高分子聚合物材料在高溫環(huán)境下具有負(fù)阻性的特征，電阻（率）隨著溫度的上升而下降，HTRB性能之間的相關(guān)性表明，隨著溫度的上升電阻率越下降嚴(yán)重，而HTRB性能越差，因此，材料的電阻率是HTRB失效測(cè)量的一個(gè)關(guān)鍵測(cè)量手段。關(guān)于環(huán)氧塑封料（EMC， Epoxy Molding Compound）高低溫測(cè)試技術(shù)，已證明此測(cè)試方式是有效的，同時(shí)加速國(guó)產(chǎn)化IGBT、MOSFET等功率器件的研發(fā)。如無錫凱華、中科科化、飛凱材料等企業(yè)。

設(shè)備優(yōu)勢(shì)：

1、消除電網(wǎng)諧波對(duì)采集精度的影響

在超高阻、弱信號(hào)測(cè)量過程中、輸入偏置電流和泄漏電流都會(huì)引起測(cè)量誤差。同時(shí)電網(wǎng)中大量使用變頻器等高頻、高功率設(shè)備，將對(duì)電網(wǎng)造成諧波干擾。以致影響弱信號(hào)的采集，華測(cè)儀器公司推出的抗干擾模塊以及用新測(cè)試分析技術(shù),實(shí)現(xiàn)了高達(dá)1fA(10-15 A)的測(cè)量分辨率,從而滿足了很多半導(dǎo)體,功能材料和納米器件的測(cè)試需求。

2、消除不規(guī)則輸入的自動(dòng)平均值功能 強(qiáng)數(shù)據(jù)處理及內(nèi)部屏蔽

自動(dòng)平均值是檢測(cè)電流的變化，并自動(dòng)將其進(jìn)行平均化的功能， 在查看測(cè)量結(jié)果的同時(shí)不需要改變?cè)O(shè)置。通過自動(dòng)排除充電電流的過渡響應(yīng)時(shí)或接觸不穩(wěn)定導(dǎo)致偏差較大。電流輸入端口全新采用大口徑三軸連接器，是將內(nèi)部屏蔽連接至GUARD(COM)線，外部屏蔽連接至GROUND的3層同軸設(shè)計(jì)。兼顧抗干擾的穩(wěn)定性和高壓檢查時(shí)的安全性。

3、采用測(cè)量前等待的方式，讓材料受熱均勻

當(dāng)溫度達(dá)到設(shè)定溫度后，樣品的均勻受熱會(huì)有一定的滯后現(xiàn)象，采用達(dá)到設(shè)備溫度保持時(shí)間，采用測(cè)量前等待的方式?？梢宰尣牧鲜軣岣鶆?，測(cè)量更加科學(xué)合理。

4、強(qiáng)大的操作軟件

測(cè)試系統(tǒng)的軟件平臺(tái) Huacepro ，基于labview系統(tǒng)開發(fā)，符合功能材料的各項(xiàng)測(cè)試需求，具備強(qiáng)大的穩(wěn)定性與操作安全性，并具備斷電資料的保存功能，圖像資料也可保存恢復(fù)。支持最新的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，兼容XP、win7、win10系統(tǒng)。

產(chǎn)品參數(shù)：

設(shè)備型號(hào)：SIR-450

溫度范圍：-185 ~ 350 °C

控溫精度：0.5 °C

升溫斜率：10°C/min（可設(shè)定）

電阻：1×10¹⁶Ω

電阻率：1×10³ Ω ~ 1×10¹⁶Ω

輸入電壓：220V

樣品尺寸：φ＜25mm，d＜4mm

電極材料：黃銅或銀;

夾具輔助材料：99氧化鋁陶瓷

絕緣材料：99氧化鋁陶瓷

測(cè)試功能：高低溫電阻率

數(shù)據(jù)傳輸：RS-232

設(shè)備尺寸：180 x 210 x 50mm